1. 可控硅振荡电路接线图
过零触发是在零电压或零电流关断,主要是为了降低功耗,延长使用寿命.移相触发是通过调速电阻值来改变电容的充放电时间再来改变单结晶管的振荡频率，实际改变控制可控硅的触发角。就是触发控制方式的不一样。
2. 可控硅振荡电路图原理
可控硅阻容吸收的原理是为了限制电路电压上升率过大，确保可控硅安全运行，常在可控硅两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的变压器漏感或负载电感，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏可控硅。
同时，避免电容器通过可控硅放电电流过大，造成过电流而损坏可控硅。由于可控硅过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的，可控硅阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。
3. 可控硅振荡电路接线图片
在实际晶闸管电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。 我们知道，晶闸管有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管可以看作是由三个PN结组成。 在晶闸管处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管上的阳极电压上升率应有一定的限制。 为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管安全运行，常在晶闸管两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管。同时，避免电容器通过晶闸管放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管。 由于晶闸管过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。
4. 可控硅振荡电路接线图解
参考电路，额定电流20安培，最大可达25安培，该充电器主回路采用单相可控半波整流电路，因元件SCR正向导通转为承受反压时，在反向阻断能力恢复过程中，元件承受很大的换向电压。为保护可控硅元件，设有电容C2和电阻R3串联的过压保护，同时也可以缓和因正向电压上升过大而造成的元件误导通。
触发电路由双基极二极管BT、电容C1组成弛张振荡电路，输出经脉冲变压器B送至SCR控制极（参见线路图）。
可控硅SCR接入交流电路工作，控制极脉冲必须与电源同步，为简化线路，采用电阻R2降压，硅二极管D整流，作同步电源。
触发器工作电压直接取自被充电瓶，只要有6伏左右，触发器即能正常工作。同步工作电压采用此种方法，节省了变压器和整流滤波电路，使线路简单。同时，还具有自保护作用，即在外界短路或电瓶极性反接时，使可控硅不能触发。只有排除上述故障后，才能恢复正常工作，因而不会因短路、极性反接等而造成元件损坏。
在交流接触器线圈上增绕一层绕阻，产生6伏电压，作指示灯电源。采用电流较小的XDX—1型指示灯。
脉冲变压器B采用锰锌铁氧体磁盒，外径25毫米，用直径0.27毫米高强度漆包线，初级和次级各绕80匝，初次级间应有良好的绝缘。
充电器调试简单，用一只6伏电瓶，调电位器W2和W1电流表应有充电电流指示，否则可调整R1。然后，多串几只12伏电瓶，也应能工作。同时，测量BT发射极电压，应·在16～20.5伏之间，否则检查稳压管DW是否良好。发热元件应远离半导体元件。
图2是另一种参考电路。
5. 可控硅自激振荡电路图
晶闸管击穿主要原因：过电压、过电流、短路等原因。在启动过程中软启动发出“孜孜”的声音可能是出现短路了。一般正常过电流的话不会出现这样的声音。
首先你们生产的产品导电性能怎么样？如果含导电粉尘多的话是很容易造成短路的。
再就是检查一下你的线路，是不是有导线破皮现象。还有一种可能就是谐波引起的。
6. 可控硅整流触发电路图
1.三相桥式全控整流电路在任何时刻都必须有两个晶闸管导通，而且这两个晶闸管一个是共阴极组，另一个是共阳极组的，只有它们能同时导通，才能形成导电回路。
2. 三相桥式全控整流电路就是两组三相半波整流电路的串联，所以与三相半波整流电路一样，对于共阴极组触发脉冲的要求是保证晶闸管KPl、KP3和KP5依次导通，因此它们的触发脉冲之间的相位差应为120。对于共阳极组触发脉冲的要求是保证晶闸管KP2、KP4和KP6依次导通，因此它们的触发脉冲之间的相位差也是120。
3.由于共阴极的晶闸管是在正半周触发，共阳极组是在负半周触发，因此接在同一相的两个晶闸管的触发脉冲的相位应该相差180。4. 三相桥式全控整流电路每隔60？有一个晶闸管要换流，由上一号晶闸管换流到下一号晶闸管触发，触发脉冲的顺序是：1、2、3、4、5、6、1，依次下去。相邻两脉冲的相位差是60。
5.由于电流断续后，能够使晶闸管再次导通，必须对两组中应导通的一对晶闸管同时有触发脉冲。为了达到这个目的
7. 可控硅电力控制器接线图
单项可控硅反并联。记得要加RC保护电路。单向可控硅,控制交流电,必须反并联,所以2和3 要短接,起来用。 可控硅的介绍: 这是一个由3个晶闸管造成的共阳晶闸管模块,主要用于三相半波整流电路。
8. 可控硅串联电路图
单项可控硅反并联。记得要加RC保护电路。单向可控硅，控制交流电，必须反并联，所以2和3 要短接，起来用。 可控硅的介绍： 这是一个由3个晶闸管造成的共阳晶闸管模块,主要用于三相半波整流电路。 或者与共阴三相半波整流组成三相全控桥。 调速器分：红 蓝 黑 3根线，红色接电瓶+正极，黑色接电瓶-负极，蓝色接电机的-负极，电机正极用一根线引到电瓶的+正极。