1. 可控硅触发电路原理图设计
双向可控硅触发电路工作原理： 1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成 当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。 由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。 由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化 2,触发导通 在控制极G上加入正向电压时，因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。
2. 可控硅触发电路原理图设计说明
可控硅触发变压器电路： 三极管是交流开关放大，二极管是溢流二极管，当交流信号为0时，三极管截止，当交流信号为1时，三极管饱和
3. 简单可控硅触发电路图
1.强电触发: 采用MOC3061、MOC3021等高压光耦，从可控硅的A极引入触发电压，这种触发不需要其他触发电源，电路非常简单，主要元器件工作在400V强脉冲环境，可靠性最差。 采用触发二极管（DB3）电路与这种结构相似。
2.变压器隔离触发: 这是工业上最常用结构，优点是强弱电隔离触发波形好，缺点是长脉冲触发时变压器体积太大，成本高电路复杂。元器件工作在100V脉冲环境，可靠性一般。
3.隔离电源直流触发: 这种触发结构，缺点是功耗较大，发热量大。优点是强弱隔离触发电流大，低频长脉冲、高频脉冲串等都适用，电路简单成本低，元器件工作在20V脉冲环境。可靠性好。这种机构的移相触发器经半年多实际使用(10kw变压器负载，镀铝机蒸发舟加热)，极少出现烧保险丝和烧可控硅现象，原来是采用变压器触发结构，经常烧保险丝，可控硅也有损坏。
4. 可控硅直流触发控制电路图
可控硅是在门极和阴极之间施加正向电压才能导通，所以肯定是直流。而且这是一个脉冲信号，只有几个ms而已。可控硅就是晶闸管，我了解到的晶闸管都是电流驱动型器件。对触发脉冲要求有以下几点：
1、脉冲宽度，对三相全控桥式电路，脉冲宽度应大于60°，也就是约7ms。
2、触发脉冲要有足够的幅度，幅度与器件工作的环境温度有关，在户外寒冷场合，幅度应增大为最大触发电流3~5倍。
3、触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额。 每个可控硅都相同吗？指的是哪里的每个，可控硅主要参数是电压和电流，不同场合的可控硅肯定不一样。
5. 可控硅触发电路原理图设计方法
将直流电源变换成固定频率或频率可调的交流电源的可控硅装置，称为可控硅逆变器。
与晶体管逆变器不同，可控硅逆变器需要单独的控制电路。因为要使可控硅导通需要采用触发电路，同时，要使可控硅关断还需要采用一定形式的换向电路。
只用两只可控硅元件，就可制成功率为一百瓦到几千瓦的大功率逆变器。根据选用的可控硅型号，逆变器直流电源电压额定值可达24V～800V。如果逆变器工作频取不太高，可控硅的关断时间与半个周期相差不多时，可以获得较高的效率。