开关电源怎样降低电压？

一、开关电源怎样降低电压？

开关电源的降压包含两个地方。1，变压器的初次极匝比。2，功率MOS开关的占空比。

通过匝比将电压降低到一定值，再通过MOS调节占空比将电压稳定在5V左右。

注意：降压主要是匝比实现的，占空比主要是稳压作用。另外，为了使MOS开关的速度尽量均匀，占空比已0.45为基准点，左右变化，这样MOS导通和关断的间隔就不会相差太大，否则要是0.8的占空比的话，留给关断的时间只有0.2，变化就很快，刚关断瞬间就导通了，这样工作会损坏MOS管。另外还有一个原因，如果占空比大于0.5，相应的匝比就会更大，反射电压就会变大，初级MOS管的电压就会更高，MOS应力就高了，初级MOS的耐压基于成本考虑，一般是600或者650以下。所以，我们会以占空比0.45为基准，计算匝比时，也将0.45计算在内，比如将220V输入电压按匝比降到10V，再算上占空比0.45，就是5V了。

电源设计的重点在变压器上，因为其设计的地方多，可操作空间很大，匝比的选择也要考虑到初级MOS管的Vds，这里不是说尖峰电压，而是反射电压，输入电压加反射电压的电压值也要控制，不能太高，而反射电压就跟匝比有关系，所以要控制匝比，不能让反射电压太高。当然这是在满足降压要求的情况下来设计匝比，要是匝比必须那么大，不然就不满降压，那就要换MOS，换用耐压更高的MOS。当然MOS耐压高，相应价格也高。

二、开关电源MOS管关断时产生的阻尼振荡如何降低？

这个问题不太好解决，换一个内阻比较小的开关管应该会好一些。

但如果成本压力比较大，可以在开关管驱动电路上电阻上加一个反向的开关二极管。应该也会好一点。

三、开关电源烧mos原因？

1、电源工作不稳定，温升过高导致变压器工作异常发生磁饱和后原边失去电流抑制作用，导致MOS开通瞬间流过的电流超过MOS电流额定值，MOS损坏；

2、MOS漏源之间电压过高，MOS管长时间工作在漏源击穿电压值临界区域附近，导致MOS晶圆的高压环损坏；

3、由于老化温度过高，导致PWM控制芯片内部电流基准电压由于温漂超出额定范围，导致流过MOS的峰值电流超出额定值，MOS损坏

四、开关电源mos管损坏？

1、电源工作不稳定，温升过高导致变压器工作异常发生磁饱和后原边失去电流抑制作用，导致MOS开通瞬间流过的电流超过MOS电流额定值，MOS损坏；

2、MOS漏源之间电压过高，MOS管长时间工作在漏源击穿电压值临界区域附近，导致MOS晶圆的高压环损坏；

3、由于老化温度过高，导致PWM控制芯片内部电流基准电压由于温漂超出额定范围，导致流过MOS的峰值电流超出额定值，MOS损坏；

五、开关电源尖峰吸收电容多大？

开关电源中的RCD尖峰吸收电路电容上电压是脉冲波形，其峰值一般为供电电压的2-3倍左右。一般在220V供电的开关电源中，整流后直流电压约为310V，因此，反峰电压约为650-900V。此时RCD尖峰吸收电路电容的耐压应选1KV。所以选用200V是不行的

六、mos管开关电源电路原理？

你好，MOS管开关电源电路是一种电路，它使用MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）作为开关器件。MOS管开关电源电路的工作原理如下：

1. 输入电压：输入电压被施加到开关电路的控制端，即MOSFET的栅极上。

2. MOSFET开关：当输入电压高于MOSFET的门阈电压时，MOSFET会被打开，导通电流从源极流向漏极。

3. 电荷储存：当MOSFET被打开时，电荷被储存在MOSFET的栅极和源极之间的电容中。

4. 关闭MOSFET：当输入电压低于MOSFET的门阈电压时，MOSFET会被关闭，电荷从栅极电容中流回源极，MOSFET不再导通，电路中的电流停止流动。

5. 输出电压：当MOSFET被关闭时，电路中的电荷会被释放，产生一个反向电压，用于驱动负载。

总之，MOS管开关电源电路通过使用MOSFET作为开关器件，将输入电压转换为输出电压。它具有高效率、高速度、低功耗等优点，广泛应用于电源、电动机控制等领域。

七、开关电源没有尖峰电压怎回事？

开关电源电路中都设有尖峰电压吸收回路

八、关于降低开关电源电流？

你更换成开关电源后，应将电路板上的7805等电路断开，不能与电子钟电路相连，否则开关电源负载将加重，致使总电流增大。

九、10a开关电源mos管选择？

1、漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。 2、漏极连续工作电流ID，例如常温下7N60和10N60的ID值分别为7A和10A，一般单电压电源选择2A/10W比较安全； 3、漏极-源极阻抗RDS，阻抗越小温升越低，漏极电流越大，一般7N60的阻抗为1Ω，10N60的阻抗为0.7Ω。 4、工作频率即开关时间TD，一般MOS管的开关时间70 nS（纳秒）左右。 这几个条件满足了，基本没问题。

十、明纬开关电源烧mos原因？

1、电源工作不稳定，温升过高导致变压器工作异常发生磁饱和后原边失去电流抑制作用，导致MOS开通瞬间流过的电流超过MOS电流额定值，MOS损坏；

2、MOS漏源之间电压过高，MOS管长时间工作在漏源击穿电压值临界区域附近，导致MOS晶圆的高压环损坏；

3、由于老化温度过高，导致PWM控制芯片内部电流基准电压由于温漂超出额定范围，导致流过MOS的峰值电流超出额定值，MOS损坏