mos管的开通与关断电阻？

一、mos管的开通与关断电阻？

mos管开通后阻值很小，欧姆极，甚至毫欧极，mos管关断后，电阻在几兆欧以上。

二、怎样有效关断MOS管？

关断MOS管是MOS管使用中的大问题，远比导通麻烦。最好的关断方法是负电压关断，非常有效。

三、mos管栅极反并二极管为了加速关断，为什么不需要加速开通呢？

英飞凌工程师解答：

通常，MOS管的驱动电路如下图所示。

Rgon的作用是调节开通速度，MOS管的开通速度要综合考虑开关损耗和电路振荡以及电磁兼容，小的Rgon可以减小开关损耗，但可能带来电路振荡和电磁兼容的问题，因此，这个值要折中考虑。二极管的引入是将开通驱动电阻和关断驱动电阻分开。这样做有几点考虑，首先，MOSFET的关断延迟时间通常比开通延迟时间长，因此可以选择更小的关断电阻Rgoff，使关断速度更快，减小损耗。其次，对于关断，如果采用相对大的Rgon作为驱动电阻，会存在寄生导通的风险。寄生导通的原理，如下图所示。

在MOSFET关断的过程中，高dVds/dt在寄生米勒电容Cgd中产生位移电流I。位移电流通过栅极电阻Rg产生一个加在MOSFET栅极的电压，如果这个电压过高，超过MOSFET的阈值电压，会导致MOSFET发生寄生导通。计算公式如下(假设Cgs阻抗远大于Rg)。

其中一种减小寄生导通的手段就是适当减小栅极电阻，即用二极管给关断匹配一个相对小的关断驱动电阻。

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四、如何消除MOS管开通和关断时产生的尖峰？

有尖峰有可能是吸收电路中C偏小了。

RCD电路参数设计网上都有，根据需要自己看吧。还有一个问题，开关频率越高，尖刺也就会越高，如果没有硬性要求，可以把开关频率降一降。另外，负载处除了主要的电解电容，可以加一些钽电容试试。顺便说一下，光耦牵扯一个反逻辑的问题，不知道你注意了没有，如果没有在后面的驱动处最好做一下修正。

五、开关电源MOS管关断时产生的阻尼振荡如何降低？

这个问题不太好解决，换一个内阻比较小的开关管应该会好一些。

但如果成本压力比较大，可以在开关管驱动电路上电阻上加一个反向的开关二极管。应该也会好一点。

六、mos管关断是什么意思？

他是一个受控原件，他有三个引脚，其中两个就类似一个开关，然后还有一个脚是控制，就是用一个控制脚，来控制是否导通

七、mos管导通和关断时间？

答：mos管导的开关频率不是固定。

理论上可以达到几十MHz或以上，原来的模拟示波器输入端就用MOS管，这样输入阻抗高，有500MHz的。

常见的开关电源中，其工作频率一般情况下不超百kHz，大部分是几十kHz，这主要是对周边器件要求高。MOS管在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS管两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。

八、开关电源烧mos原因？

1、电源工作不稳定，温升过高导致变压器工作异常发生磁饱和后原边失去电流抑制作用，导致MOS开通瞬间流过的电流超过MOS电流额定值，MOS损坏；

2、MOS漏源之间电压过高，MOS管长时间工作在漏源击穿电压值临界区域附近，导致MOS晶圆的高压环损坏；

3、由于老化温度过高，导致PWM控制芯片内部电流基准电压由于温漂超出额定范围，导致流过MOS的峰值电流超出额定值，MOS损坏

九、开关电源mos管损坏？

1、电源工作不稳定，温升过高导致变压器工作异常发生磁饱和后原边失去电流抑制作用，导致MOS开通瞬间流过的电流超过MOS电流额定值，MOS损坏；

2、MOS漏源之间电压过高，MOS管长时间工作在漏源击穿电压值临界区域附近，导致MOS晶圆的高压环损坏；

3、由于老化温度过高，导致PWM控制芯片内部电流基准电压由于温漂超出额定范围，导致流过MOS的峰值电流超出额定值，MOS损坏；

十、大功率mos管(irfp4468)在开通和关断时需要多大栅极电流.在开通关断时的栅极电阻。还有？

怎么你遇到不可逾越的困难了吗？看你一直问这方面的问题。