mos管损耗和什么有关？

一、mos管损耗和什么有关？

mos管损耗和过流、过压、静电有关。

过流——持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁。

过压——源漏过压击穿、源栅极过压击穿。

静电——静电击穿，CMOS 电路都怕静电。

MOS的工作状态分为：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。

　　MOS对应这些状态的主要损耗：开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在 MOS 承受规格之内，MOS 即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗，不同 MOS 这个差距可能很大。

二、开关电源mos管损坏？

1、电源工作不稳定，温升过高导致变压器工作异常发生磁饱和后原边失去电流抑制作用，导致MOS开通瞬间流过的电流超过MOS电流额定值，MOS损坏；

2、MOS漏源之间电压过高，MOS管长时间工作在漏源击穿电压值临界区域附近，导致MOS晶圆的高压环损坏；

3、由于老化温度过高，导致PWM控制芯片内部电流基准电压由于温漂超出额定范围，导致流过MOS的峰值电流超出额定值，MOS损坏；

三、mos管开关电源电路原理？

你好，MOS管开关电源电路是一种电路，它使用MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）作为开关器件。MOS管开关电源电路的工作原理如下：

1. 输入电压：输入电压被施加到开关电路的控制端，即MOSFET的栅极上。

2. MOSFET开关：当输入电压高于MOSFET的门阈电压时，MOSFET会被打开，导通电流从源极流向漏极。

3. 电荷储存：当MOSFET被打开时，电荷被储存在MOSFET的栅极和源极之间的电容中。

4. 关闭MOSFET：当输入电压低于MOSFET的门阈电压时，MOSFET会被关闭，电荷从栅极电容中流回源极，MOSFET不再导通，电路中的电流停止流动。

5. 输出电压：当MOSFET被关闭时，电路中的电荷会被释放，产生一个反向电压，用于驱动负载。

总之，MOS管开关电源电路通过使用MOSFET作为开关器件，将输入电压转换为输出电压。它具有高效率、高速度、低功耗等优点，广泛应用于电源、电动机控制等领域。

四、开关电源中，开关管的功率损耗怎么计算？如MOS管，作为开关的晶体管……损耗包括哪几部分？

比较复杂，开关管的损耗的计算也非常复杂 ，只有经验公式没有具体的数学公式，开关管的损耗一方面分为导通损耗，因为开关管的导通是有电阻的，而且此电阻受温度影响也特别大，所以不好计算，而在开关管损耗中占最大比重的确实交流损耗，就是上升的电压与下降的电流之间造成的交流损耗，因为开关管并不是理想器件，管子的导通和关闭都需要一定的时间，所以也就衍生出了以后的ZVS（零电压关断）与ZCS（零电流关断）的研究，这个楼主有兴趣可以看一下。

五、10a开关电源mos管选择？

1、漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。 2、漏极连续工作电流ID，例如常温下7N60和10N60的ID值分别为7A和10A，一般单电压电源选择2A/10W比较安全； 3、漏极-源极阻抗RDS，阻抗越小温升越低，漏极电流越大，一般7N60的阻抗为1Ω，10N60的阻抗为0.7Ω。 4、工作频率即开关时间TD，一般MOS管的开关时间70 nS（纳秒）左右。 这几个条件满足了，基本没问题。

六、开关电源mos管开机瞬间烧了？

1、电源工作不稳定，温升过高导致变压器工作异常发生磁饱和后原边失去电流抑制作用，导致MOS开通瞬间流过的电流超过MOS电流额定值，MOS损坏；

2、MOS漏源之间电压过高，MOS管长时间工作在漏源击穿电压值临界区域附近，导致MOS晶圆的高压环损坏；

3、由于老化温度过高，导致PWM控制芯片内部电流基准电压由于温漂超出额定范围，导致流过MOS的峰值电流超出额定值，MOS损坏

七、开关电源次级会有mos管吗？

开关电源次级可能有mos，续流二极管可以用mos管做同步整流电路。

八、开关电源mos管击穿原因及解决？

1. 电路设计不合理：尤其是高频开关电源，如果电路设计不合理，如电容、电感、二极管等参数选择不当，容易使mos管击穿。

解决办法：重新设计电路，针对mos管的特性进行选择参数，力求让mos管工作在安全边界内。

2. 负载变化大：如果开关电源负载变化较大，如过载或短路，负载品质差，容易使mos管击穿。

解决办法：增加过载保护电路，合理选择负载，确保负载品质可靠。

3. 瞬态高压干扰：由于mos管在开关状态时会产生瞬态高压，如果不能及时去除，积累起来会使mos管击穿。

解决办法：增加反电动势保护电路，减小开关时间，控制开关频率，减小瞬态高压。

4. 温度过高：高温环境下mos管的绝缘击穿电压会降低，容易使mos管击穿。

解决办法：加装散热器，控制mos管工作温度。

5. 其他原因：如电源电压波动、灯泡启动等情况也会造成mos管击穿。

解决办法：加装稳压电路，避免电压波动；加装灯泡启动电路，消除电感电容回路的高压干扰。

九、充电器开关电源怎么没有mos管？

充电器开关电源没有mos管很正常，开管电源开关管既可用三极管也可用mos管，它们结果都可以起到开关脉冲的导通与截止。

还有的开关电源把mos管集成在电源芯片中，用一块芯片代替了mos管，所以你在电路板上找到mos管，它其实己集成在电源芯片中。

十、12v开关电源mos管是什么型号？

用您好开头，以下是回答：您好，12V开关电源MOS管的型号需根据具体的电路设计计算出合适的参数。MOS管是一种半导体器件，常用于开关电源中。在选择MOS管时需关注其击穿电压、最大漏电流、导通电阻等参数，以确保其能够适应电路的工作要求。一些常见的MOS管品牌包括IR、ST、TI等，您可以根据实际情况选择合适的型号。