变压器线圈导通正常吗？

一、变压器线圈导通正常吗？

我也遇到这个疑惑。没找到确凿的答案。

我理解的原因是半波整流电路或中心抽头全波整流电路的变压器次级端，变压器次级线圈中的电流方向不会改变。

半波整流电路次级线圈只有一半周期被二极管导通，所以电流的方向一直是二极管导通的单方向。线圈一直是某一单向导通状态，可以看做线圈一直是一个方向在导电直流。

中心抽头全波整流也是一样的原因，次级线圈能导通的电流方向一直是一致的。方向保持不变而产生直流累积效果？

而在桥式整流电路中，变压器次级线圈的电流方向是周期性来回变化的，只有在整流桥之后的负载部分才是直流方向不变化。方向变化而相互抵消了直流效果？

也许就是次级线圈中这个方向不变的电流，会在线圈中产生累积响应吧。

但是我不明白这个直流分量如何计算的，难道交流电就不能发热和产生震荡吗？

二、igbt导通后一直导通吗？

igbt导通后可以一直导通也可以随时关断.因为,igbt是全控型的半导体器件,只有符合igbt的导通和关断条件,在任意时刻均可以实现igbt的导通和关断.igbt导通条件是门极有足够的触发脉冲,集电极与发射极有足够的电流即可,而要关断则只需要破坏两个条件中的一个即可.

三、mos管导通后断电后还是导通？

mos管导通后，因栅极与源极之间有一定的结电容存在，只要栅源极电压存在，mOS还是导通状态，只要在漏源极间加上电压即可导通。所以MOS管在储存时应注意防止静电击穿损坏。

四、三相变压器两相导通？

是单相电。 我们用示波器去看，这时的电压最大值是380X1.414=537V，而电角度是314t。 显见电角度与220V单相电无异，只是幅度变大而已，另外相位差也有变化。 所以，配电系统中只有三相供电和单相供电，不存在两相供电。

五、隔离变压器进线正负极导通正常吗？

  正常

   隔离变压器的初级线圈和次级线圈是一样的，输入和输出电压相等。如果输入交流220V，那么输出也将是220V交流电压。虽然隔离变压器的次级线圈内阻很小，相当于直接导通，但它的两端是开路的，只要所接的负载不短路，它就不会短路了。

六、为什么变压器的输出引脚是导通的？

变压器在日常生活中应用较广，各种家用电器经常用到变压器。

变压器由初级线圈（电压输入）、次级线圈（电压输出）、铁芯等组成，由于次级线圈的绕组使用的漆包线线径较粗，输出绕组匝数较小，直流电阻一般只有几个欧姆～几十个欧姆，所以用万用表测量输出引脚是导通的。

七、igbt导通时间？

因为IGBT的负载是电感（感性负载，如电机），流过电感的电流大小与时间成正比，所以PWM占空比越高（脉宽越宽）输出电流越大，IGBT导通后会很快进行饱和状态，不可能让它工作在放大区，因为这样损耗太大了。电流公式应该是I=u*t/L,t就是时间，占空比D就是指IGBT开通时间与周期的比值。

八、晶闸管导通特点？

晶闸管在控制电路给触发极一触发信号时，便可触发其呈导通或关闭。

九、pnp怎么导通？

PNP型三极管的导通条件是E点电位、B点电位、C点电位，三极管饱和导通的条件是Ue、Ub、Uc、Ub。

对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。

当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。

十、igbt导通特性？

IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给 PNP 晶体管提供基极电流，使 IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使 IGBT 关断。 IGBT 的驱动方法和 MOSFET 基本相...

IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给 PNP 晶体管提供基极电流，使 IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使 IGBT 关断。 IGBT 的驱动方法和 MOSFET 基本相同，只需控制输入极 N 一沟道 MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。