pmos管关断条件？ pmos管体效应？

一、pmos管关断条件？

Pmos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V

如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw

那么mos管不导通，D为0V，

所以，如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。

那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。

如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V，那么GPIO高电平的时候为1.8V，GS为1.8-2.8=-1V，mos管导通，不能够关断。

GPIO为低电平的时候，假如0.1V，那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。

二、pmos管体效应？

首先体效应是因为衬底电压比源极电压更低之后导致沟道处的耗尽区宽度更宽从而导致阈值电压更高。如果说衬底的电压和源极的电压相同，那么就不存在体效应。

NMOS和PMOS的结构如下

现有的集成电路工艺中所有的NMOS是直接做到衬底上的（衬底为P掺杂），电路中不同位置NMOS因为连接的结构不同，所以源极的电压都不一样，这个时候就没办法把衬底跟所有的源极短接，那样就短路了是吧。

但是PMOS呢是需要先在衬底上做一块N阱，然后再做PMOS的结构，所以理论上每个PMOS的N阱都可以直接和每个PMOS的源极单独连接。因此PMOS可以做到消除体效应。

三、pmos管缓启动电路原理？

在电信工业和微波电路设计领域,普遍使用MOS管控制冲击电流的方达到电流缓启动的目的。

四、pmos管做开关导通条件？

1、P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V

如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw

那么mos管不导通，D为0V，

所以，如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。

那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。

如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V，那么GPIO高电平的时候为1.8V，GS为1.8-2.8=-1V，mos管导通，不能够关断。

五、npn三极管驱动pmos管电路？

p mos的栅极接npn三极管集电极基极接芯片，发射极接负极

六、pmos管导通和截止的条件？

PMOS管的导通和截止取决于栅极和源极之间的电压关系。当栅极相对于源极的电压低于阈值电压（通常为负值）时，PMOS管导通，电流流过。当栅极电压高于阈值电压时，PMOS管截止，电流不再流动。

这是因为当栅极电压低于阈值时，沟道被吸引到栅极，形成导通通道，从而允许电流流动。

而当栅极电压高于阈值时，沟道被堵塞，导致截止。

因此，PMOS管的导通和截止取决于栅极和源极之间的电压关系，这种特性使得PMOS管在数字集成电路中起着重要的作用。

七、pmos工艺？

PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管

全称 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor

别名 ： positive MOS

金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。

八、pmos电路？

以P沟道MOS场效应晶体管为基本元件的集成电路，简称PMOS。衬底是N型硅片，栅为金属铝。两个邻近的P型扩散区和跨于两扩散区的铝栅，连同衬底构成一个P沟道MOS晶体管，铝栅PMOS电路中各元件之间，可用与铝栅同时形成的铝线或与源、漏区同时形成的扩散线进行连接。

九、PMOS晶体管的工作原理是什么？

PMOS晶体管的工作原理：

因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。

当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。

十、pmos管的电源抑制比为什么大？

阈值电压和以下几个因素有关：栅电极材料类型，栅氧化层厚度，衬底掺杂浓度，栅氧化层层中的电荷密度等相关，一般工艺中N/P MOS的栅氧化层厚度tox都是相同的，栅电极材料类型也相同，栅氧化层层中的电荷密度也相同，但是衬底浓度却不一样，NMOS直接做在Psub外延P-epi上面，而PMOS 做在P-epi的NWELL上面，所以NWELL的杂志浓度比P-epi跟大一些，衬底浓度越大，对应MOS管的阈值电压也越大，所以一般PMOS的阈值电压都要比NMOS要更大一些。