9014晶体管参数？

一、9014晶体管参数？

9014三极管参数有

集电极漏电流：ICBOVCB=60V,IE=0100nA

发射极漏电流：IEBOVBE=5V,IC=0100nA

集电极、发射极击穿电压：BVCEOIC=1mA,IB=050V

发射极、基极击穿电压：BVEBOIE=10μA,IC=05V

集电极、基极击穿电压：BVCBOIC=100μA,IE=060V

集电极、发射极饱和压降：VCE(sat)IC=100mA，IB=10mA0.25V

基极、发射极饱和压降：VBE(sat)IC=100mA,IB=10mA1.0V

直流电流增益：HFE1VCE=6V，IC=2mA120700HFE2VCE=6V，IC=150mA25

二、MY晶体管参数？

MY标记的贴片三极管是双极结型晶体管(BJT) ，

所属系列: 2SC2873 ，是 NPN 50V/2A 贴片三极管 （丝印MY ），封装形式：SOT89 .

2SC2873可以用2SC3736的贴片三极管代换，丝印 OK， 封装也是采用SOT-89 。

三、晶体管稳压电源电路自动调节过程？

调整管是串联在电源与负载之间的，这就是平常说的晶体管串联调整稳压电源的来历。调整原理： 输出电压取样电阻接到调整管基极，感受电压波动变化，调整管的发射极、集电极之间的压降大小受基极电位控制，取样电阻电压升高时，使调整管基极电位下降，发射极、集电极压降增大，输出电压下降，完成调整。

四、晶体管的耐压参数？

晶体管极性: PNP

最大耗散功率 (Pc): 25

集电极--基极击穿电压 (Ucb): 150

集电极--发射极击穿电压 (Uce): 150

发射极--基极击穿电压 (Ueb): 5

最大集电极电流 (Ic): 1.5

最大工作温度 (Tj), °C: 125

最大工作频率 (ft): 4

输出电容 (Cc), pF: 110

直流电流增益 (hfe): 40

五、a1010晶体管参数？

型号：2SA1010

类型：PNP三极管

集电极耗散功率（PC）：40 W

集电极电流（IC）：5 A

集电极与基极最高耐压（VCBO）：100 V

集电极与基极反向漏电流（ICBO）：10 μA

直流放大系数（hFE）：40-200

封装：TO-220AB

六、gto晶体管有哪些参数？

最常用的是8050和8550

如果是高频的话3906和3904就可以了

要考虑的参数：

工作频率

vcbo

功耗

ic

七、双极性晶体管参数？

双极型晶体管极限参数:

★最大集电极耗散功率 。

★最大集电极电流 :使b下降到正常值的1/2～2/3时的集电极电流称之为集电极最大允许电流。

★极间反向击穿电压：晶体管的某一电极开路时，另外两个电极间所允许加的最高反向电压即为极间反向击穿电压，超过此值的管子会发生击穿现象。温度升高时，击穿电压要下降

八、a1939晶体管参数？

a1939是硅pnp型大功率三极管，它的主要参数，集电极与基极电压80伏，集电极与发射极电压80伏，发射极与基极电压5伏，集电极电流6安，耗散功率60瓦，结温150℃，当集电极电流1安时，直流电流增益55～160倍。3安时，直流电流增益35～75倍，特征频率30兆赫兹。常与c5196组成互补功率对管，作未级输出。

九、2222a晶体管参数？

2222a晶体管是一款电源管理芯片，它的参数设置是电压输出范围是2.1V-1.78V，开关频率60KHz。输入电压范围为3.7V～4.5V，主频率3650。电源管理芯片是在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其他电能管理的职责的芯片，主要负责识别CPU供电幅值，产生相应的短矩波，推动后级电路进行功率输出

十、8050晶体管的参数？

8050三极管参数：类型：NPN，功率Pc：0.625W(贴片：0.3w)，电流lC：0.5A。电压：40v，Vceo：25V。