pn结外加正向电压时电场怎么变？

一、pn结外加正向电压时电场怎么变？

PN结加正向电压，电场减弱，则相应的空间电荷减少，因而空间电荷区变窄。即P区接正极，N区接负极，由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。

在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。

二、pn结外加反向电压变宽还是变窄？

PN结外加反向电压后，空间电荷区中的电场增强，则相应的空间电荷增多，因而空间电荷区展宽。

外加正向电压时，电场减弱，则相应的空间电荷减少，因而空间电荷区变窄。

PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。

三、pn结外加反向电压时处于导通状态？

pn结外加反向电压时，处于截止状态。

pn结外加反向电压是指电源的负极与p端连接，正极与n端连接，这样，外电场与内建电场方向一致，即加强了内建电场，加强了对载流子的漂移作用，更不利于载流子的扩散，因此，pn结内几乎没有电流存在，所以，pn结外加反向电压时，处于截止状态。

四、PN结的扩散？

你的理解是非常正确的。

五、pn结的应用？

PN结构成的MOS管是我们电脑、手机、各种数码产品芯片的基本构成单元；PN结也是LED灯、太阳能电池、光通信激光器和探测器芯片的基本部分。

在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的。N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。

当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区。

六、PN结的性质？

pn结是指采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PNjunction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。PN结是构成二极管、三极管及可控硅等许多半导体器件的基础。

七、pn结的电阻？

二极管的PN结内部对电流的阻力与电阻性质是不同的，是内部电场对载流子的作用不是像电阻那样是介质对电子的阻力；PN接正向导电的时候表现出来的电流方程为I=Is（e*U/UT-1)，Is为反向饱和电流，UT=kT/q其中的k是玻尔兹曼常数，T是热力学温度，q是电子的电量。这个不用细算，总之，正向导通时电流会很大，压降会很小，锗管压降一般为0.6～0.7V，所以外围电路中需要加限流电阻；再说反向时内部反向电场加强此时就相当于一个电容，所以基本没有电流流过，也就是所说的截止状态。

这是单纯的PN结，当PN结用到晶体管中的时候，可以概括的称它导通时对电流的阻力为自身体电阻。

八、PN结与PIN结的区别？

PN结和PIN结都是半导体器件中常见的结构，它们的主要区别在于掺杂类型和区域的厚度。

PN结是由P型半导体和N型半导体直接接触形成的结构，其中P型半导体中掺杂了大量的空穴，N型半导体中掺杂了大量的电子。当PN结两侧的电势差异足够大时，电子和空穴会在结区域内重新组合，形成一个空穴区和一个电子区，从而形成一个电势垒，这个电势垒可以用来控制电流的流动方向。

PIN结是在PN结的基础上加入了一个掺杂浓度较低的I型半导体区域，形成了P-I-N结构。在PIN结中，I型半导体区域的厚度比PN结中的结区域要大得多，这样可以增加电子和空穴的扩散距离，从而提高了器件的速度和效率。

因此，PN结和PIN结的主要区别在于掺杂类型和区域的厚度，PIN结比PN结具有更高的速度和效率。

九、外加剂对含泥的影响？

外加剂添加越多，对泥的含量影响成正比关系，外加剂添加越多，泥的含量越高

十、pn结的负极材料？

硅二极管PN结的主要材料是用硅材料做成的.

锗二极管PN结的主要材料是用锗材料做成的.

组成二极管的封装材料：引线是铜，焊接芯片是点焊的，焊接后芯片外涂白胶，外壳黑塑胶封装。