mos管gs之间压降多少？

一、mos管gs之间压降多少？

MOS管内部都有反向二极管并联，这是MOS管生产工艺决定的，无法避免。 所以，MOS管的反向压降就是二极管的正向电压，大约是1～1.5V。

二、mos管的压降是多少？

mos管的压降是3.6V，mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。

MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

三、mos管压降是什么？

MOS的压降是指MOSFET饱和导通的时候，VDS=I*Ron的电压。一般是指静态的压降。知道导通阻抗和通过的电流的话用上面的公式就可以计算出来压降是多少了，一般在相同电流下，额定电流大的mosfET压降小。不要忘了前提条件。

四、mos管压降1伏正常吗？

不正常

测试开关mos后电压下降了1V多，本身就是锂电池4.2V的电压算是很低的一个电压，并且是拿这个mos导通之后的电压作为电压比较器的输入电压，当然参考电压是升压再稳压之后，可以不考虑它的变化，按理来说，mos都是m欧级的内阻，压降应该不大才对。

五、mos管体二极管压降

mos管体二极管压降相关知识

在电子电路中，mos管体二极管是一个非常重要的元件，它具有压降低、损耗小、频率高、热稳定性好等优点。在本文中，我们将深入探讨mos管体二极管压降的相关知识，包括其工作原理、影响因素、测量方法以及应用场景。

工作原理

当mos管体二极管加电时，半导体材料中的电子将受到电场力的作用而移动，形成电流。由于半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间，因此电流在半导体材料中会受到一定的阻力，即压降。这种压降主要取决于半导体材料的性质、电流的大小、温度以及工作频率等因素。

影响因素

• 半导体材料性质：不同半导体材料的导电性不同，导致压降也不同。一般而言，硅材料的压降较低，而砷化镓等化合物半导体材料的压降较高。
• 电流大小：当电流通过mos管体二极管时，会受到电阻力的作用，导致压降增加。因此，增大电流会导致压降的进一步增加。
• 温度：半导体材料在高温下会失去电子，导致导电性能下降，压降也会随之增加。因此，在高温环境下工作，需要特别注意mos管体二极管的压降问题。
• 工作频率：半导体材料中的电子受到交变电场的影响，会产生震荡，导致压降发生变化。因此，高频工作条件下，需要特别关注mos管体二极管的压降问题。

测量方法

为了准确了解mos管体二极管的压降，需要采用专业的测量仪器和方法。常用的测量方法包括直流电压表法和交流电压表法。直流电压表法适用于测量静态压降，而交流电压表法适用于测量动态压降。

应用场景

mos管体二极管在各种电子设备中都有广泛的应用，如电源电路、放大器、开关电路等。其低压降、高效率的特点使得它在这些设备中扮演着重要的角色。特别是在电源电路中，mos管体二极管可以作为整流元件使用，将交流电转化为直流电，同时实现低功耗、高效率的特点。

六、MOS管负载电流和导通压降的关系？

与三极管的CE端导通压降固定不同，MOS管的DS端等效为一个可变电阻Rdson，MOS关断时阻值无穷大，而导通时阻值无穷小，所以导通时即使ID很大，这个功耗也很小。

ID电流由负载决定

高压MOS管等效为多个MOS管串联，低压MOS管等效为多个并联

（1）高压MOS管的Rdson大(相同功率的负载，电压大，电流小，等效电阻大，一般为几十毫欧)，GS电容小(串联，所以导通快)。

（2）低压MOS管则相反(Rdson为几毫欧)。

MOS管的DS间有一个体二极管，它与ID方向相反，它的压降是0.7V左右，随着电流增大，这个压降也会变大，如100A时，可能达到1V多的压降。体二极管的电流与ID是接近或相等的。它消耗的功率是很大的，这个损耗叫续流损耗

七、管压降的原理？

管压降理解为电流通过时两端的电压。电流流过负载以后相对于同一参考点的电势（电位）变化称为电压降，简称压降。负载两端的电势差（电位差）就可以认为是电压降。电压降是电流流动的推动力。如果没有电压降，也就不存在电流的流动。例如，A点的电势（同0电位的电势差）是2V，B点的电势是8V，那么，A对B点来说，压降就是-6V，或者站在B点说A点压降就是6V。

正向压降指在规定的正向电流下，二极管的正向电压降，是二极管能够导通的正向最低电压。

在规定的正向电流下，二极管的正向电压降，是二极管能够导通的正向最低电压。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。

更多的人则了解PN结的伏安特性，即PN结压降与正向电流关系呈对数关系，如果说1mA时为0.6V, 10mA时为0.7V, 那么100mA， 1000mA 将可能对应0.82V及0.95V左右。实际上，以上关系只在小电流下成立，当电流较大时则要考虑二极管电阻分量的压降了，知道，二极管除了具有PN结，还具有半导体材料的体电阻，封装绑定线的电阻及引脚的电阻；由于电阻的分压，随着电流的增大二极管压降也会增大，这些电阻分量在几百mA至几A的情况下，压降是很明显的，可以认为，在小电流时主要由伏安特性决定压降，而大电流时则主要由体电阻决定压降。

八、管压降是什么？

电流通过时两端的电压

管压降理解为电流通过时两端的电压。电流流过负载以后相对于同一参考点的电势(电位)变化称为电压降,简称压降。负载两端的电势差(电位差)就可以认为是电压降。电压降是电流流动的推动力。如果没有电压降,也就不存在电流的流动。

九、数码管的压降

十、开关电源压降公式？

压降原理：导线带有一定的电阻值，通过电流会产生热量造成损耗，其损耗将产生电压降，线路短或截面较大时，损耗不明显，电压降也可忽略。所以，导线产生的电压降与导线材料、长度、截面和负载电流有关。

计算导线电阻：

(铜芯电线的电阻率：ρ＝0.0172，铝芯电线的电阻率：ρ＝0.0283)

R＝ρ×L/S

(R＝导线电阻，单位：Ω，L＝导线长度，单位：米，S＝导线截面，单位：m㎡)

计算导线电压降：

U＝RI

(I＝导线通过的电流，单位：A)