一、串联型晶体管稳压电路误差分析?
误差产生的原因主要有以下两点:
一,元件性能与参数误差:设计时的理论值是以理想元器件为基础的,而实际器件不可能做到理想性能与参数。
就如你拿尺不可能量出没有误差的尺寸一样。
二,测量仪器产生的误差:测量仪器在采样与处理到显示的过程中都会产生误差,特别是对数据的采样,多高频率的数据据采样率都避免不了误差。
其它还有很多造成误差的因素,如:电源内阻、线路损耗等。
二、串联型晶体管稳压电源的输出电压?
这种晶体管稳压电源的输出电压一般都在。3V或者15V之间来调节。
三、晶体管,单极型晶体管,双极型晶体管什么关系?
双极性晶体管(BJT,Bipolar Junction Transistor):又称晶体三极管、半导体三极管等,简称三极管。有两种不同极性的载流子(电子与空穴)同时参与导电,故称为双极型晶体管。根据材料的不同可分为结型场效应管JFET (Junction Field Effect Transistor)和绝缘栅型场效应管IGFET(Insulated Gate FET) 。
单极性晶体管:只有一种极性的多数载流子(电子或空穴)参与导电,故称为单极型晶体管,如场效晶体管等。根据材料的不同晶体三极管可分为硅管(Si)与锗管(Ge)。
硅三极管的反向漏电流小,耐压高,温度漂移小,且能在较高的温度下工作和承受较大的功率损耗。锗三极管的增益大,频率响应好,尤其适用于低压线路。
四、pnp型晶体管?
PNP型晶体管是由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管。
组成
由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体
电流从发射极E流入,在正常放大工作时,发射极电位最高,集电极电位最低。
PNP型晶体管的电路符号
PNP型三极管,是由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管,所以称为PNP型三极管。也可以描述成,电流从发射极E流入的三极管。
五、晶体管源型漏型区别?
源型和漏型,一般针对晶体管型电路而言,可以直接理解为IO电路向外提供/流出电流(源或称为source)或吸收/流入电流(漏或称为sink)。
对于DO来说,一般PNP型晶体管输出为源型,输出模块内部已经接好电源,电流通过DO向外流出,不需要外接任何电源DO就可以直接驱动继电器。
六、串联型晶体管直流稳压电路的四个组成部分?
一是整流
二是滤波
三是取样放大
四是调整输出
七、能提供稳定直流电源的直流稳压电源是怎样的?
直流稳定电源是把交流电转化成电子设备运行所需的直流电。它们大致可分为提供恒定输出电压的恒压电源、提供恒定输出电流的恒流电源以及两者结合的恒压恒流电源。
此外,该配置将交流电压施加到电源变压器,降压或升压,并通过整流器和平滑电路将其转换为直流电压,它由稳定提供输出电压或输出电流的控制电路组成。
恒压和恒流电源的稳定原理
恒压电源
图 1 显示了恒压电源的基本电路。图中,电源为负载R1供电。控制电路利用误差放大器的信号控制负载电压。误差放大器将参考电压VREF与输出电压V0经电阻R1 、 R2分压得到的电压VS进行比较,向控制电路输出信号使VS与VREF相等。
恒流电源
图2所示为恒流电源的基本电路。图中电源、控制电路、误差放大器的工作原理与恒压电源相同。然而,误差放大器比较的电压是V REF和输出电流I0通过电流检测电阻RS所产生的电压VS。即,误差放大器向控制电路输出信号,使VREF和VS始终相等,从而调节输出电流。
稳压方式有并联调节法、串联调节法和开关调节法,分别称为并联稳压器、串联稳压器和开关稳压器。
也有一些综合这些方式的电源,当然目前电源的主要方法,串联调节法和开关调节法,我们下期就详细讲一讲这两种调解方法
八、p型晶体管参考电压?
PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式,一般CMOS的电源电压选择在10~12V就能满足PMOS对输入电平的要求。
MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗,在电路中便于直接耦合,容易制成规模大的集成电路。
九、npn型晶体管工作原理?
三极管是由P型半导体和N型半导体所构成的半导体元器件,根据内部结构不同,可以分为NPN三极管和PNP三极管。NPN三极管是由两块N型半导体和一块P型半导体构成的;PNP三极管是由两块P型半导体和一块N型半导体构成的
十、并联型稳压电路?
齐纳二极管稳压电路是典型的并联型稳压电路,稳压原理是当由于输入电压升高或负载电流下降而导致输出电压升高时,齐纳二极管的阻抗减小,使流经齐纳二极管的电流增加,从而增大限流电阻的压降,使输出电压降低。
当由于输入电压降低或负载电流增大而导致输出电压下降时,齐纳二极管的阻抗增大,使流经齐纳二极管的电流减小,从而减小限流电阻的压降,而达到稳压目的。
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