去耦电容的原理？

一、去耦电容的原理？

在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。

对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling）电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。

去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方，用来消除自激，使放大器稳定工作。

二、去耦电容是什么？

去耦电容是电路中装设在元件的电源端的电容

此电容可以提供较稳定的电源，同时也可以降低元件耦合到电源端的噪声，间接可以减少其他元件受此元件噪声的影响。

三、去耦电容与旁路电容有什么不同？

区别如下:

1、去耦电容相当于电池,避免由于电流的突变而使电压下降,相当于滤纹波。具体容值可以根据电流的大小、期望的纹波大小、作用时间的大小来计算。电容如果容值很大,对更高频率的噪声,基本无效。

2、旁路电容就是针对高频来的,也就是利用了电容的频率阻抗特性。只是旁路电容一般是针对外部噪声,也就是给开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般是0.1u,0.01u等 ,而低频旁路电容一般比较大,是10u或者更大,依据电路中分布参数,以及驱动电流的变化大小来确定。 旁路电容 旁路电容(bypass)是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象,把前级携带的高频杂波滤除。

四、去耦电容的容值如何选择？

　　去耦电容的选择不存在与频率的精确对应关系，理论上越大越好，但现实中所有器件都不是理想器件，不论何种电容，ESL、ESR都是必然存在的，于是实际电容的频响曲线明显呈非线性，仅在一 定频率区间内基本符合纯电容的理论计算结果，超出一定界限后就与理论值越差越远，超到一定程度后甚至电容将不再是电容了，这个频率称“自谐振频率”，同样 材料和制造工艺下，容量越小的电容自谐振频率越高。所以去耦电容的选择除了需大致考虑频率外，还要考虑负载的情况，在一定频率之后还得考虑电容的材料和生 产工艺等，在此基础上综合的结果决定去耦电容的容量和种类。　　通常数字电路的噪声频率在兆至百兆量级区间，这个区间的噪声采用陶瓷独石介质 的0.1uF电容就可取得合适的效果，如果负载较重或噪声较强，可选择更大容量的电容或用多个电容并联，同样容量和电容材料下，小电容并联的效果强于单一 大电容，频率越高越明显，高频去耦则需采用大小电容并联的方式分别对付不同频谱的噪声。　　一般去耦电容的容量选取原则：　　100M 以下轻载：0.1uF，重载或存在较大低频噪声的可加并1－10uF的电容，介质材料选择陶瓷或钽为宜；　　100M－1000M：前 述＋100－1000pF（＋10pF），括号内根据频率的高限选择是否需要，小电容的介质选择必须是高频陶瓷，早期则多用云母。　　1G以 上：前述＋1－10pF，介质最好选择高Q微波陶瓷材料。　　高频重载时必须用多个小电容并联切不可直接用大电容。　　技术上去耦电容不是一般称的滤波电容，滤波电容指电源系统用的，去藕电容则是分布在器件附近或子电路处主要用于对付器件自身或外源性噪声的特殊滤 波电容，故有特称——去耦电容，去耦指“去除（噪声）耦合”之意。

五、去耦电容是实现什么功能的？

呵呵，你好~ 去耦电容，也叫退耦电容。 电容可以去耦， 是由于电容隔直通交的性质特点决定的。 基本原理： 在共用一个电源的多级放大器中， 前后级信号在通过电源时，会形成串扰现象， 当将电容跨接在某级放大电路的某一节点与地之间时， 该节点的交流信号就被电容“短路”到地， 经过该点的杂散信号就被去耦电容“去除”， 就不会有多余的信号耦合到本级放大器中造成干扰， 可以使放大器工作更稳定可靠。

六、去耦电容与旁路电容有什么区别？

1、使用位置的区别：

去耦电容，强调使用在系统输出pin脚，用来滤除系统自身产生的干扰防止耦合到下一级系统；

旁路电容，强调使用在系统输入pin脚，用来滤除系统不需要的高频干扰信号。

2、使用的容值大小的区别：

去耦电容，一般是容值较大，基本在0.1uF以上，相对于直流分量来说，其他带有一定周期性波动的信号都可以认为是交流成分，在电源供电系统中，通常使用容值较大的电容，来滤除频率较低的纹波干扰，即去耦电容；

旁路电容，一般应用选值是比较小，基本都在0.1uF以下，电容容值越小，对高频信号的阻抗就越小，越容易给高频信号提供低阻抗路径流向GND。

七、退耦电容和旁路电容的疑问？

是这样的，假定没有退耦电容，那么输出级由于耗电较大，工作时会使电源电压波动。

这种波动对后级本身影响不大，但是对于耗电不大对电源稳定性要求较高的前级就会造成干扰和影响。为了解决这个问题，在前级和后级电源之间加上一个小阻值的电阻，并在电阻靠近前级一侧加上一个容量较大的电解电容，这样的话，就会吸收后级对前级的影响，也就是在后级电源波动大的情况下，尽可能保持前级电源的稳定。这就是退耦电容的作用。至于旁路电容，根据它需要旁路信号的频率，可以选用较大的电解电容（旁路低频），或者较小的瓷片电容（旁路高频）。也可以这么认为，退耦电容是旁路电容的一种。

八、怎么理解电容滤波去耦旁路耦合的作用？

滤波：多用于直流电路，引入滤波电容的原因是要获得平滑稳定的电压，因为电容两端的电压不能突变，所以它能抑制电压的波动，使电压变得平稳光滑。去耦：也叫退耦，主要作用有两个：1、去除器件之间的交流射频耦合。它能将器件的电源端上瞬间的尖峰、毛刺对地短路掉。理论上，频率越高，需要的去耦电容越小。旁路：旁路电容的作用是将回路中不需要的交流信号对地短路掉。你的说法理论上没有错，但是几乎没有人去这么说。电容在耦合的时候当然是串联在电路中的，如果它并联在器件之间，那到底是谁和谁耦合？去耦当然是并联在器件的两端，注明：电源端和地线，在具体运用的时候记得电容要尽量靠近电源端，去耦效果好，这是经验。旁路一般是把电阻和电容并联在一起，然后串联在某个回路中，通常这么用。这个问题没有具体的答案。很难计算。但理论上肯定是频率越高需要的电容越小的，因为频率越高，电容的容抗越小，电路中的交流干扰成分对地短路的程度越高，也就是衰减越大，这是我们想要的，但在实际的运用中，同样的频率，用0.1uF的电容和用0.01uF的电容效果几乎是一样的，谁也没办法解释，但通常有经验的工程师都喜欢用0.1uF，记住就可以了。在晶振两端对地接电容是为了校正时钟波形。晶振和集成电路内部的电路组成震荡器，这两个小电容就是配合这个振荡器工作用的，也可以说是振荡器的一部分。12M的晶振不一定非要用20P的，具体用多大的电容取决于你的芯片，比如51单片机要30pF，AVR单片机要22pF，这个和晶振的频率没有关系的。问题四后面的那句话没有分析明白，请说的清楚一点，你模拟的电路中有晶振么？有晶振的话就不用任何输入波形，没有的话直接给12M的方波信号源就可以了，但是要在XTAL1和XTAL2中选一个，这两个中肯定有一个可以直接输入外部之中频率，具体哪一个，你需要查一下器件资料，直接用12M方波的信号源接到这个引脚上就可以了。说的够明白了。

九、什么是退耦电容？

退耦，decouple,大约就是把缠在一起的事物分别开来的意思。退耦电容主要是用来把不一样波频的电源分开，也就是达到滤波的作用。电容的“电阻”会因波频frequency而异，因此对高频电源而言，电容的电阻会比对低频电流来的低。高频电流会通过电容，而低频电流则不会（需视电容，电频等参数而定），从而达到分开不一样波频的电源的作用。

十、胆机退耦电容多大？

胆机退耦电容0.02uf

胆机的耦合电容器一般选择0.01～0.02uf,因为胆机输入阻抗比较高，所以耦合电容也比较小，音频输入的是以电压为标准mv，而不是以电流为标准。