1. 可控硅保持电流
一个交流电的周期为360度,正半周为180度,负半周180度.可控硅又称可控整流元件,交流电通过整流元件时,元件让正180度电通过,阻止了负180度的通过,即所谓半波整流.交流电通过可控硅时,并不是让180度的正半周电全部通过的,即所谓可控整流.当正半周加到可控硅的阳极,在180度的某一角度时,在可控硅的控制极加一触发脉冲,例如在30度加一脉冲,可控硅只能通过余下的150度的电压.这种使可控硅导电的起始角度称为导通角.
2. 可控硅的维持电流
维持电流是指保持可控硅导通需要的电流。
反向或小于维持电流可控硅就自行关断了。可控硅控LED的话，不太好
3. 可控硅导通电流
额定通态平均电流IT(AV)
在环境温度为+40℃及规定的散热条件、纯电阻负载、元件导通角大于己于170°电角度时，可控硅所允许的单相工频正弦半波电流在一个周期内的最大平均值。
二、通态平均电压UT(AV)
在规定环境、温度散热条件下，元件通以额定通态平均电流，结温稳定时，阳极和阴极间电压平均值。
三、控制极触发电压UGT
在室温下，阳极和阴极间加6V电压时，使可控硅从截止变为完全导通所需的最小控制极直流电压。
四、控制极触发电流IGT
在室温下，阳极和阴极间加6V电压时，使可控硅从截止变为完全导通所需的控制极最小直流电流。
五、断态重复峰值电压UPFV
在控制极断开和正向阻断的条件下，阳极和阴极间可重复施加的正向峰值电压。其数值规定为断态下重复峰值电压UPSM的80%。
六、反向重复峰值电压UPRV
在控制极断开的条件下，阳极和阴极之间可重复施加的反向峰值电压。其数值规定为反向不重复峰值电压URSM的80%。一般把UPFV和UPRV中较小的数值作为元件的额定电压。
七、维持电压IH
在室温和控制极断路时，可控硅从较大的通态电流降至刚好能保持元件处于通态的最小电流，一般为几十到一百多mA。如果通过的正向电流小于此值，可控硅就不能继续保持导通而自行截止。
4. 可控硅是如何控制电流的
答:可控硅控制通过电压的大小。当可控硅阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。
此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
5. 可控硅调节电流电路
可控硅需要在控制极施加触发电压才能导通，在可控硅交流调压电路中，改变触发脉冲相对输入交流波形的位置，可使可控硅得到不同导通角来改变输出电压。
这种能移动触发位置的电路就是移相触发，最简单的是单结晶体管触发电路。可控硅不能直接调节输出电流，只能通过改变输出电压间接调节电流。
6. 可控硅最小维持电流是多少
BTB04属于双向可控硅，额定正向平均电流为4A，这样在市电220V电压下，允许控制电器的最大功率为1KW，实际应用中，最好不要超出800W。相同型号规格的可控硅并联，可以增大输出电流，但是由于元件的离散性，并联元件的正向特性并不完全一样，会造成电流分配的严重不均匀，应该采取相应的均流措施。
7. 可控硅保持电流是多少
理论上来说是：硅管为0.7V，锗管为0.3V 具体情况可以参照二极管的资料来看
可控硅的主要参数如下：
1） 转折电压
在控制极开路和正向阻断的情况下，当阳极电压增大到一定程度，可控硅也能导通，曲线突然从A段跳过虚线B段进入曲线C段，此时C段曲线形状类似普通晶体二极管的正向特性。我们把这个导通电压称为可控硅的转折电压UBO。可控硅导通后，阳极电压(管压降)很快跌落下来，大约1V左右，而大部分电压降在了负载上。在实际使用中正向电压大大低于转折电压UBO，否则很容易击穿损坏可控。
2）断态不重复峰值电压UDSM
在控制极开路和定向阻断时，曲线A段弯曲点的电压叫做断态不重复电压。使用中不能接近更不能超过此电压。
3）断态置复(正向阻断)峰值电压UDRM
指在控制极开路和正向阻断的不致使可控硅正向击穿导通的电压，也即可以重复加在可控硅上的安全峰值电压。规定这个电压为断态不重复峰值电压UDSM的80%。断态重复峰值电压也称为正向阻断峰值电压、正向电压或耐压值。如可控硅3CT5的UDRM=30~3000V。
4）反向重复峰值电压
指在控制极开路时不致使可控硅反向击穿导通的电压，也即可以重复加在可控硅上的安全峰值电压。规定这个电压为反向不重复峰值电压URSM的80%。反向重复峰值电压也称为反向峰值电压或反向电压。如可控硅3CT5的UDRM=30~3000V。
５）额定正向平均电流IF
是在环境温度为+40℃时，可控硅导通可连续通过50Hz正弦半波电流的平均值，即正常工作电流(也称通态平均电流)，通常所讲的10A、20A的可控硅元件，就是指它的额定正向平均电流为10A、20A，比如3CT5的IF＝5A。
６）正向平均压降UF
指可控硅通过额定正向平均电流时在阳极与阴极之间电压降的平均值。正向平均电压也称通态平均电压、正向压降或管压降。—般可控硅的正向压降在1V左右，如3CT5的UF=1.2V
７）维持电流IH
指在控制极断开后，可控硅保持导通状态所必须的最小正向电流，一般为几十到一百多毫安，小功率可控硅IH较小，大中功率可控硅IH较大。如3CT5的IH在40mA左右。
８）控制极触发电压VG
指可控硅从阻断变为导通状态时控制极上所加的最小直流电压(也称触发电压)，小功率可控硅的触发电压—般为1~1.5V,大中功率可控硅的触发电压为几到十几伏。如3CT5的VG在3.5v左右。
9）控制极触发电流IG
指在阳极与阴极之间加直流6V电压时，使可控硅完全导通所必需的最小控制极直流电流(也称触发电流)，小功率可控硅的触发电流为几百微安到几毫安，大中功率可控硅的触发电流为几十到几百毫安。如3CT5在50mA左右。