1. 晶闸管
1、名称不同：晶闸管简称为SCR，IGBT的中文名称为绝缘栅双极型晶体管。
2、材料不同： IGBT为全控型器件，SCR为半控型器件。
3、控制方式不同： SCR是通过电流来控制，IGBT通过电压来控制。SCR需要电流脉冲驱动开通，一旦开通，通过门极无法关断。
4、开关频率不同： SCR的开关时间较长，所以频率不能太高，一般在3-5KHZ左右；IGBT的开关频率较高。IGBT模块可达30KHZ左右，IGBT单管开关频率更高，达50KHZ以上。
2. 晶闸管触发电路中,若改变()的大小
1、直接起动：直接启动就是电机在全电压下直接起动。启动条件是电网容量足够大，但在实际生产过程中，公司内的电网容量是比较有限，不适合采用直接起动，因为直接启动时，起动电流为设备额定电流的5―7倍，启动电流过大，对电网造成冲击很大，会引起电网电压下降，如果电网电压下降到一定值，将会造成部分设备停机。
2、热变水电阻启动：高压热变水电阻由具有负温度系数的电阻材料及其它材料组成三相平衡电阻；启动时，此装置串联在电机定子回路中，当水电阻中有电流通过时，电阻体温度逐渐升高而阻值逐渐降低，使电机端电压逐步升高，启动转矩逐渐增大，从而实现降低电机起动电流平稳启动的目的。 液态电阻软启动装置以电流为调节变量，由于液变电阻阻值受环境温度的影响较大，有时会因电解液气化、蒸发引起电阻阻值增加，起动电流达不到理想中的最大值，造成电动机在启动过程中长时间达不到额定转矩，最总以启动超时而停机。
3、开关变压器启动：开关变压器技术是在变压器基本原理上的一种新的应用技术，晶闸管与变压器的低压侧绕组相连，使变压器在电路中起到一个开关的作用，在电流的每半个周期内开关一次，以实现相位控制。通过改变低压绕组上的电压来改变高压绕组的电压，从而实现改变电机端电压的目的，以实现电动机软启动。在启动过程中，开关变压器始终处于开和关两种状态。 开关变压器的低压侧电压很低，可控硅不需要采用串联技术，目前国内可控硅和开关变压器技术技术都比较成熟，两种技术相结合组成的软启动装置可靠性比较高。
4、高压固态软启动：高压固态软启动采用多组晶闸管串联技术，通过调节可控硅触发角的大小来改变电机端电压大小。同一串联回路中的可控硅分压必须相同，由此对可控硅元器件的工作特性一致性要求比较高，可控硅电压分配不平衡将会造成某个可控硅因过压而烧毁，甚至烧毁整串可控硅，使此装置的可靠性降低，一旦可控硅烧毁，用户很难修复。
5、变频器启动：变频器启动通过改变电机端电压的频率来改变起动电流，电机端电压频率降低，电压降低，相应电流减少，甚至可以达到理想的电流值；同时转速降低，实现电机的无极调速。 用变频器启动电机，可以做到无操作过电压，实现平滑调速，并且启动性能较好，调速范围较大，运行平稳，节能效果明显。
3. 晶闸管和可控硅有什么区别
mos管与场效应管是一个概念。mos管是全控型的，是电压驱动的；晶闸管是半控型的，由电流驱动的。可以控制其开通与关断的晶体管都可称为可控硅。mos管要维持导通必须要栅极和源极之间保持一电压差。三极管也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
4. 晶闸管可控硅
可控硅调速器和电容调速器区别在于作用不同和功率不同。
1.可控硅调速器是用来控制电路的通与断的功能,电容调速器是只有交流通路和储能的功能。
2.功率不同。可控硅调速器是一种大功率电器元件,而电容调速器是小功率电器元件。
5. 晶闸管导通条件
①触发脉冲信号应具有足够大的电压和电流一般要求触发电压幅度为4～10V。 ②触发电路不输出触发脉冲时触发电路因漏电流产生的漏电压应小于0.15～0.2V以避免误触发。 ③触发脉冲要有一定的宽度以保证晶闸管可靠导通。触发脉冲的宽度最好取20～40us。 ④触发脉冲前沿要陡，以保证触发时间的滩确性口一般要求前沿时间不大于10us。 ⑤触发脉冲应与主回路同步，保证主电路中的晶闸管在每个周期的导通角相等。 ⑥触发信号应具有足够的移相范围，相位应能连续可调。
6. 晶闸管符号
晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅。它是由PNPN四层半导体构成的元件,有三个电极、阳极A、阴极K和控制极G，晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制,以小电流控制大电流,并且不象继电器那样控制时有火花产生,而且动作快、寿命长、可靠性好.在调速、调光、调压、调温以及其他各种中都有它的身影.
可控硅分为单向的和双向的,符号也不同.单向可控硅有三个PN结,由最外层的P极和N极引出两个电极,分别称为阳极和阴极,由中间的P极引出一个控制极.