1. 可控硅整流器电路图
大功率可控硅整流器电路的故障，顾名思义，由于整流器工作电流比较大，最容易产生热量，如果散热条件不好，散热器热容量小，冷却风扇发生问题，都容易造成整流器过热损坏。所以，冷却效果不好，热保护失灵结果就是可控硅损坏。所以，故障有，可控硅工作条件差，冷却风扇损坏，可控硅与散热器接触不良。
2. 可控硅整流器电路图解
整流器和可控硅二者有如下的区别:
1、元件的构造不同
普通整流元件是二极管或由2、4、6个二极管集成的半桥、单相全桥、三相全桥。
二极管是p型半导体n半导体构成单个pn结，分别从两半导体引出引脚。
可控硅是由p、n、p、n（n、p、n、p）四块半导体组成，半导体之间形成了三个pn结，分别从第一个p、第二个p和最后的n引出三个电极，依次为阳极a、控制极g和阴极k。
2、功能不同
整流器的二极管只能单向导电，导通电压取决输入电源电压。
可控硅是可以控制导通的时间（导通角），可控制输出电压的平均值，从而控制输出电压的大小。
3. 可控硅整流电路调试方法
如果真的不好测，可以在线测一次的电流，当时的电流×一次电压=次级直流电压×直流电流 则直流电流=（当时的电流×一次电压）/次级直流电压.这样计算误差不会太大。供参考！
4. 可控硅桥式整流电路图
1.三相桥式全控整流电路在任何时刻都必须有两个晶闸管导通，而且这两个晶闸管一个是共阴极组，另一个是共阳极组的，只有它们能同时导通，才能形成导电回路。
2. 三相桥式全控整流电路就是两组三相半波整流电路的串联，所以与三相半波整流电路一样，对于共阴极组触发脉冲的要求是保证晶闸管KPl、KP3和KP5依次导通，因此它们的触发脉冲之间的相位差应为120。对于共阳极组触发脉冲的要求是保证晶闸管KP2、KP4和KP6依次导通，因此它们的触发脉冲之间的相位差也是120。
3.由于共阴极的晶闸管是在正半周触发，共阳极组是在负半周触发，因此接在同一相的两个晶闸管的触发脉冲的相位应该相差180。4. 三相桥式全控整流电路每隔60？有一个晶闸管要换流，由上一号晶闸管换流到下一号晶闸管触发，触发脉冲的顺序是：1、2、3、4、5、6、1，依次下去。相邻两脉冲的相位差是60。
5.由于电流断续后，能够使晶闸管再次导通，必须对两组中应导通的一对晶闸管同时有触发脉冲。为了达到这个目的
5. 可控硅整流调压电路图
正半周，电压经M后再由上面的电位器和电阻对下面的电容充电，当电容电压达到可控硅的有触发电压时，可控硅导通，M运转，负半周情况相同，这样M为交流电压运转。
6. 可控硅整流模块接线图
双向可控硅是一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，是在普通可控硅的基础上发展而成的交流开关器件，其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意，发明于1957年。双向可控硅为单向导电性开关，能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路。可控硅具有导通和关断两种状态，从外形上区分主要有：螺栓形、平板形和平底形三类。