1. 单双向可控硅
kp可控硅分为单向硅的和双向硅，符号也不同。单向可控硅有三个PN结，由最外层的P极和N极引出两个电极，分别称为阳极和阴极，由中间的P极引出一个控制极。双向可控硅的引脚多数是按T1、T2、G的顺序从左至右排列(电极引脚向下，面对有字符的一面时)加在控制。
补充资料：
KP型晶闸管又叫普通晶闸管，最基本的用途就是可控整流。不具备其他快速关断，双向等特点。
kp可控硅在工作过程中，它的阳极（A）和阴极（K）与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。
2. 单双向可控硅在实践电路图中应用
开关二极管
知识介绍：开关二极管是二极管的一种，是为在电路上进行"开"、"关"而特殊设计制造的一类二极管。它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短，主要用于电子计算机、脉冲和开关电路中。
常用型号：BAV99、1N4148W、LL34、BAV99、BAW56、1N4148、LL4148SG、PMLL4148L、BAV99、L1SS181LT1G
快恢复二极管
知识介绍：快恢复二极管（FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，其反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。
选型建议：选用时着重额定电流、反向电压和反向恢复时间。
常用型号：ES1J、US1M-13-F、UF4007-E3/73、DSEC30-06A、US1J、BYV26C、RFN2L6STE25、ER106、FFA30U60DN
肖特基二极管
知识介绍：肖特基（Schottky）二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）为正极，以N型半导体为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。是一种快恢复二极管,它属一种低功耗、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，多用作高频、低压、大电流整流。
常用型号：BAT54C、SB3150、BAT54A、SS36、SS14、MBR1100、MBR3100、SB1100、ER302
稳压二极管
知识介绍：稳压二极管，又叫齐纳二极管。利用pn结反向电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，达到稳压作用的二极管。工作在反向击穿区，主要作为稳压器使用。
常用型号：1N4746A-TAP、、IN4749A、1N4756AM、BZX79-C15、SMAZ5V1-13-F、SMAZ20-13-F、TZM5246B-GS08、BZT52C15、BZT52C18、1N5408、ZMM22、ZMM5V1、LEDZ5.6BT1G、DDZ15、SMAJ4747A、BZT52C9V1、UDZVTE-1710B、KDZV18B、1N5948B、1N5240B
检波二极管
知识介绍：检波（也称解调）二极管的作用是利用其单向导电性将高频或中频无线电信号中的低频信号或音频信号取出来，它的接触面积小，不能通过大的电流，结电容也较小，频率特性好，适用于高频信号的检波。
瞬态电压抑制二极管
知识介绍：瞬态二极管（TVS），是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。
选型建议：
1.为满足IEC61000-4-2国际标准，TVS管必须达到可以处理最8kV(接触)和15kV(空气)的ESD冲击
2.最大峰值脉冲功耗PM是TVS能承受的最大峰值脉冲功耗值。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关，如果电路内出现重复性脉冲，应考虑脉冲功率的累积，有可能损坏TVS。
3.VRWM应等于或略高于电路的正常工作电压，VBR不能小于电路的最大允许工作电压。
4.几种TVS类型的描述
SMAJ6.5CA我们用这个型号举例。该型号标识该TVS是SMJ系列，SMA是一种封装形式，6.5代表电压值，C代表是双向的，没有C是单向的。A代表精度带A代表是5%精度，不带A代表10%精度。
触发二极管
知识介绍：触发二极管相当于两个反方向并联的二极管，是一种双方向皆可导通的二极管。常用来触发双向可控硅 ，在电路中作过压保护等用途。
选型建议：在实际应用中，应选择转折电流Ibo小、转折电压偏差△Ub小的触发二极管
变容二极管
知识介绍：变容二极管也称为压控变容器，是根据所提供的电压变化而改变结电容的半导体，反偏电压愈大，则结电容愈小。在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用
选型建议：选用变容二极管时，要注意结电容和电容变化范围。使用变容二极管时，要避免变容二极管的直流控制电压与振荡电路直流供电系统之间的相互影响，通常采用电感或大电阻来作两者的隔离。另外，变容二极管的工作点要选择合适，即直流反偏压要选适当。一般要选用相对容量变化大的反向偏压小的变容二极管。
气体放电管
知识介绍：气体放电管采用陶瓷密闭封装，内部由两个或数个带间隙的金属电极，充以惰性气体（氩气或氖气）构成，电路外加电压过高时，气体击穿放电。常用于多级保护电路中的第一级或前两级，起泄放雷电暂态过电流和限制过电压作用。
选型建议：防雷电路的设计中，气体放电管的直流击穿电压、冲击击穿电压、通流容量等参数为关键因素。
3. 单双向可控硅区别
单向可控硅和双向可控硅，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T1极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。 单、双向可控硅的判别 先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。 可控硅(SCR: Silicon Controlled Rectifier)是可控硅整流器的简称。可控硅有单向、双向、可关断和光控几种类型它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。 单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。 可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。 可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。
4. 单双向可控硅控制电路图
可以控制一个回路，用低电压小电流控制高电压大电流的负载。
相当于你用人手去推动以前家庭用电电路里的闸刀，可控硅的控制极就代替了你的手，由它的信号来控制可控硅导通。
可控硅有单向可控硅和双向可控硅两种，单向的通常用于控制直流负载回路，双向的通常用于控制交流负载回路。单向可控硅也可用作整流电路。
5. 单双向可控硅测量方法相同吗
用指针万用表ΩX1档，红笔接T1，黑笔同时接T2和G，指针应偏转较大。然后，在保持黑笔与T2连接的情况下，让黑笔脱开G，指针应保持不变，说明能维持导通，为正常。单向可控硅的话，就到此为止了。对于双向可控硅，还要交换红、黑笔，重复上述过程，以表示双向均完好。双向二极管只能用万用表测其是否击穿短路，别无它法。