一、驱动电路和控制电路的区别？
控制电路一般包括：传感器或信号输入电路、触发电路、纠错电路、信号处理电路
驱动电路等,工作电路一般包括：执行电路、功能电路、电源电路等.
控制电路和工作电路两者并没有严格的分工,即控制电路可以包括工作电路，工作电路中也可能含有控制电路。
二、pfc驱动控制电路原理？
由于PFC的控制地和MOS管组成的双向开关的源极不共地，因此需要解决开关管浮地驱动问题。
【PFC驱动控制电路工作原理如下】
1.1驱动电路基本工作原理
其工作原理大致如下：DSP发出PWM驱动控制信号；驱动信号通过后级推挽等放大电路驱动隔离光藕实现驱动信号的隔离传输功能（隔离光耦将弱信号的控制地和强抖动电平的驱动地隔离，同时也利用光传输对前级驱动的电噪声进行屏蔽和抑制）。由于隔离光耦的输出电流有一定限制，无法直接驱动MOS管，故需通过驱动芯片将其输出电平信号进行整形和电平转化，最后驱动MOS管。
1.2隔离光藕和驱动芯片的选择
隔离光耦是整个驱动电路的关键器件，其选型需综合考虑最大工作隔离电压、开关速度、CMTI、传输延迟、最大开关频率、成本等指标。另外关于隔离光藕的带宽指标如何选择，其对于相位裕量的影响有多大，目前还不是十分清楚，还有待后续进一步研究。
同时，驱动芯片逻辑的选择也直接取决于电路光藕的选择。以下图中的电路为例，由于H7413Z PFC的开关频率为70KHz，故需选用高速光藕。下图中所选用的逻辑光藕U302的输入输出信号为反逻辑，
其输入输出波形示意如下图所示（以PS9317为例）。后级的驱动芯片U303也需选用反逻辑的芯片与之匹配，其输入输出逻辑如图3所示（以UCC27423为例）。
1.3 PWM信号的放大和电平转换
由于DSP的PWM信号幅值和输出电流均有限，无法直接驱动隔离光耦的原边LED，因此需使用电平转换和放大电路，提升驱动能力。并且还需根据所用隔离光耦的VF特性差异，设计不同的前级电路：
(1) 对于逻辑门光耦，其LED的VF离散性较小(例如HCNW2211为0.32V，见下图).
(2) 对于栅极驱动光耦，由于部分厂家LED的VF离散性较大(例如Renesas PS9552L3为0.45 V，见下图)，
如果直接用推挽放大，当VF分别取到上下限时，IF很难设计在7-16mA之间(见下图)。
H941AZ设计之初为解决HCNW2211的独家问题，拟采用驱动光耦(39100114)，同时为满足IF的要求，因此设计反逻辑+推挽输出做为前级电路。
随着光耦技术的发展，业内还出现一种IPM接口驱动光耦，如39100151(ACPL-P480和TLP715)。它们具有更小的封装(如Stretched SO-6)，价格也合理，而VF离散性较小(约0.2V)。
1.4光耦输出整形和放大
通常，隔离光耦的输出电流有一定限制。例如逻辑门光耦HCNW2211的IO小于25mA，即便是栅极驱动光耦FOD3120，其最大输出电流也只有2.5A，无法同时驱动2个SPW47N60C3。因此，光耦输出还需要再加一级放大电路。在调试过程中发现，采用三极管推挽放大，由于强共模干扰的存在，会引起驱动Vgs的高、低电平并不是平直波形，特别是低电平存在杂乱的波动(见下图)。
如果波动超过开关管的Vgs(th)，可能造成误开通。若改用共地驱动芯片，一方面对光耦的输出进行整形，提高栅极驱动Vgs电平的平整度(见下图)；
另一方面利用驱动芯片输入级逻辑电平的滞环，进一步增强对光耦输出干扰信号的抑制能力。此外，驱动芯片一般采用FET图腾柱输出，其开关速度较推挽三极管更快，有利于减小开关损耗。
三、开关电源中为什么要用驱动电路？
用驱动电路的原因很多的，列举一些常见的如下: 1 PWM芯片的驱动能力不足 2 需要外做dead time 3 需要外做驱动来做关机电路(就是一关机就关功率管) 4 需要外接电路将一个PWM信号变成两个互补的PWM信号 等等，如果PWM信号满足使用当然可以不要驱动直接接MOS等器件。
具体问题具体分析四、方向助力控制器驱动电路故障？
汽车电子转向助力常见的故障有：
1、控制系统线束插接件接触不良。
2、系统保险丝烧断。
3、继电器损坏。
4、控制器、电机或传感器坏电动助力系统。 电动助力转向系统（Electric Power Steering，缩写EPS）是一种直接依靠电机提供辅助扭矩的动力转向系统，与传统的液压助力转向系统HPS（Hydraulic Power Steering）相比，EPS系统具有很多优点。EPS主要由扭矩传感器、车速传感器、电动机、减速机构和电子控制单元（ECU）等组成
五、开关电源电路图输出电压由什么控制？
请问你是要怎么改，这都是固定的。你怎么改，重新绕吗？开关电源的变压器与你看到的那种线性电源的变压完全不一样的。
开关电源的5V是由后面的电路来控制的，不是变压器输出5V交流再整流的。
所以完全不能更，开关电源变压器的参数是很重要的，改了其它的必须要改，不然轻则不开机，重则通电就炸机。
六、预热塞控制驱动电路开路怎么回事？
出现此问题是进气预热网损坏，控制器出问题或者到电脑之间的线路出现断路引起的故障，可以先检查一下预热网本身是否损坏
七、开关电源电路分析？
1 是电子工程领域中的一个重要课题。2 开关电源电路具有高效、稳定等优点，但其复杂度也比较高，需要进行深入的分析和设计。首先，开关电源电路的主要元器件是开关器件，其作用是控制电源中断和接通，从而实现电能的变换和传递。但开关器件工作时会产生高频瞬态电压，容易对电路造成损害，因此需要合理的控制和保护措施。其次，开关电源电路还需要配套的滤波电路和稳压电路，以保证输出电压稳定、纹波小、噪声小等特点。最后，开关电源电路还需要考虑到它的应用环境和应用负载，以确定合适的电路结构和设计参数。3 综上所述，是一个复杂和重要的课题，需要进行深入的研究和应用。
八、驱动电路原理？
驱动电路，是指主电路和控制电路之间，用来对控制电路的信号进行放大的中间电路(即放大控制电路的信号使其能够驱动功率晶体管)。
驱动电路的基本任务，就是将信息电子电路传来的信号按照其控制目标的要求，转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间，可以使其开通或关断的信号。
对半控型器件只需提供开通控制信号，对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号，以保证器件按要求可靠导通或关断。
九、IGBT驱动电路？
IGBT的驱动电路是驱动IGBT模块以能让其正常工作，同时对IGBT模块进行保护。IGBT 驱动电路是辅助电路，不是主要电路。
十、pmos驱动电路？
pmos是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管，全称为 positive channel Metal Oxide Semiconductor，别名为 positive MOS。
金属氧化物半导体场效应晶体管可分为N沟道与P沟道两大类。
P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，栅极上加有足够的负电压(源极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。
改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。
如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。
这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为pmos晶体管。
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，pmos晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。
此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。
pmos因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。
只是，因pmos电路工艺简单，价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。