开关电源变压器发热严重？

一、开关电源变压器发热严重？

正常情况下是不会的，如果开关电源的变压器发热严重有可能是有短路现象，比如漆包线绝缘层被破坏或者负载太大超出了电源的承载能力等等。

二、逆变器开关管发热严重无输出？

逆变器开关管发热的严重无输出的原因应检查是否所带负载超出了它允许功率，或者降温风扇是否损坏，电路本身出现问题。作为逆变电源，在设计电路时，会根据它的最大功率选择功率管的，在功率比较大情况下，会安装风扇给功率管强迫降温，所以不会造成功率管发热严重。

出现功率管严重发热，就应该断开负载，试试是否温度可以降下来，可以就是一超出了它的负载功率，或者用电器有问题。

温度不能降下来，说明逆变电源本身有问题，可以检查降温风扇工作是否正常，或者检修内逆变电源内部的元器件

三、开关电源通电就烧场管？

开关电源一通电保险管就烧掉的原因可能有：

1、可能存在使用操作不当，碰到某个高压元件而导致短路；

2、电源的电压起伏波动，连接系统，系统某个地方出现故障，也可能会造成此现象，用户可以查查其它元件是否有损坏，初级线路有没有元件短路，包括使用的系统等；

3、如果开关管击穿，更换后一定要测试尖峰吸收电路的三小原件是否有问题，特别是二极管击穿很常见。如果有问题，换好开关管当时可以正常使用，但用不了多久，开关管又会损毁，至于这个尖峰吸收电路原件位置很好找，一般就在变压器边上，一个色环电阻，一个电容，一个二极管聚集在一起。

四、功放管发热严重怎么办？

功放管（电子管）过热原因与排除：A.原因：

1、功放管屏流过大。

2、由于市电输入电压高，导致整流后高压电压太高。

3、电路中电子元件参数改变。B.排除：1、电子管屏流过大的原因是栅负压太小所致：自给栅负压应该加大阴极电阻（如6P1阴极电阻为300欧姆，电压为正12V）。推挽固定式栅负压应加大负压值（调整负压可变电位器）。2、降低市电源输入电压：如市电电压太高（250V以上）可采取串联白炽灯泡的办法降低输入电压。3、检查各个有关电子元件参数是否在正常范围之内。

五、功放管发热严重是什么原因？

功放管（电子管）过热原因与排除：A.原因：

1、功放管屏流过大。

2、由于市电输入电压高，导致整流后高压电压太高。

3、电路中电子元件参数改变。B.排除：1、电子管屏流过大的原因是栅负压太小所致：自给栅负压应该加大阴极电阻（如6P1阴极电阻为300欧姆，电压为正12V）。推挽固定式栅负压应加大负压值（调整负压可变电位器）。2、降低市电源输入电压：如市电电压太高（250V以上）可采取串联白炽灯泡的办法降低输入电压。3、检查各个有关电子元件参数是否在正常范围之内。

六、mac发热严重？

1.

首先笔记本发热可能是因为周围环境温度过高，导致笔记本发热严重。

2.

可能是因为笔记本内部显卡，CPU等部分散热不足，或笔记本散热性能不好，导致笔记本发热严重。

3.

笔记本灰尘积攒太多，或出风口被毁成堵塞，都会影响笔记本散热性能，可以定时清理笔记本灰尘。

4.

笔记本运行软件过多或运行软件系统过于大，导致笔记本散热不足增加笔记本散热的负担，可以尝试关闭部分软件，减少CPU的负担。

七、开关电源开关管发热厉害，怎么回事？

主要引起发热的原因有四种：

1、电路设计问题。如MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。如果NMOS做开关，其G级电压要比电源高几V才能完全导通，而P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。

2、使用频率太高。如过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大，发热也加大了。

3、没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也有可能发热严重，因此需要足够的辅助散热片。

4、MOS管的选型不对。如对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。

八、功放管严重发热是功率管坏了吗？

功放机里功率放管严重发热不一定是功率管坏了，这与功放机工作电流有关（甲类功放机比甲乙类要热），或者是功放机散热效果不好所至。

九、充电器空载时功率管发热严重？

答:

充电器空载时功率管发热是不严重的，因为无负载。充电器空载时功率管发热这个情况的原因分析如下：

场效应管在充电的时候它两端也是有一定的电压的，不可能完全理想的导通， 有电压降的话在它上面就会有功率消耗，所以会发烫。

里面有变压器，铜线有电流通过，发热很正常，充电器夏天散热慢，容易发烫，充电器电器元件老化也发热的原因。

十、场效应管发热严重是什么原因？

场效应管发热严重的原因

1、电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能导通，P-MOS则相反。没有打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的忌讳的错误；

2、频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了；

3、没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于较大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片；

4、MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。