步进电机驱动器烧MOS管如何检修？

一、步进电机驱动器烧MOS管如何检修？

步进电机驱动器烧MOS管 现象一旦启动，驱动器外接保险丝即烧毁，设备不能运行。维修人员在检查时，发现一功率管已损坏，但由于没有资料，弄不清该管的作用，以为是功率驱动的前置推动，换上一功率管，通电后，保险再度被烧，换上的管子亦损坏。 经维修检查，初始分析是对的，即保险一再熔断，驱动器肯定存在某一不正常的大电流，并检查出一功率管损坏。但对该管的作用没有弄清楚。实际上该管为步进电机电源驱动管，步进电机为高压起动，因而要承受高压大电流。静态检查，发觉脉冲环形分配器的线路中，其电源到地端的阻值很小，但也没有短路。 根据线路中的元器件数量及其功耗分析电源到地端的阻值不应如此之小，因此怀疑线路中已有元器件损坏。通电检查，发现一芯片异常发热。断电后将该芯片的电源引脚切断，静态检查，电源到地的阻置增大应属正常。测该芯片的电源到地的阻值很小。查该芯片的型号，为一非标型号，众多手册中没有查到。 经线路分析，确认其为该板中的主要元件：环形脉冲分配器。为进一步确认该芯片的问题，首先换耐压电流功率相当的步进电机电源驱动管，恢复该芯片的电源引脚，用发光二级管电路替代步进电机各绕组作模拟负载。通电后，发光二级管皆亮，即各绕组皆通电，这是不符合线路要求的，输入步进脉冲无反应，因此确认该芯片已损坏。 但是该芯片市场上没有，在驱动器壳体内空间允许的情况下，采用了组合线路即用手头上已有的D触发器和与非门的组合设计了一个环形脉冲发生器，制作在一个小印制板上，拆除原芯片将小印制板通过引脚装在原芯片的焊盘上。仍用发光二极管作模拟负载，通电后加人步进脉冲按相序依次发光。拆除模拟负载，接入主机，通电，设备运行正常。

二、整流电路用mos管？

MOS管和IGBT都可以整流，通常MOS管耐压比IGBT低，所以，通常IGBT用在电压较高的电路，MOS管用在电压较低的电路，MOS管内阻很小，所以尤其低电压整流很占优势，功耗更小，建议，MOS管同步整流了解下，不要仅局限于书本

三、buck电路用什么mos管？

在Buck电路中,常使用N-MOS管作为功率开关管。

相比于P-MOS,N-MOS具有导通电阻低价格便宜且流过电流较大等优势。在同步结构中对于开关管的使用一般有两种方式：

上管为P-MOS,下管为N-MOS；无需外部自举电路。

上下管均为N-MOS；需要外部自举电路。

四、zvs电路用啥mos管？

MOS管是ZVS的核心，是ZVS中最重要的部分之一，管子的选用往往关系着电路的效率、工作电压、最大功率及耐虐性能 ，所以选择mos管很重要、根据电源的供电选择合适的MOS管也是很重要的。

一般大家做ZVS都用IRFP250或260，IRFP250耐压200V耐流30A，可以作平常电压（约8~50V）和功率（极限214W）的使用；IRFP260只是耐流比250高20A，功率大一点（极限300W）。只不过封装为TO-247，体积稍大。

五、用P型MOS管驱动负载好还是N型MOS管？

N-MOSFET好，N型半导体的载流子迁移率差不多是同型P沟道的3倍，这就意味着其导电能力更强。

市面上，绝大部分都是增强型N-MOSFET，P沟道不仅贵而且也相对难找，从应用的角度也是，N沟道正电压就可以导通，P沟道还得用负电压，太麻烦了。你的电流是12A，可以用6个MOSFET并联来实现，可以考虑IRFP150，IRFP250这类，你可以查一下参数，主要还跟你的电压有关系。如果不差钱的话，还是直接买一个控制器好，比较方便。

六、用MOS管搭建理想二极管电路，这个电路该怎么完善？

加个反相器，如图：

七、控制步进电机，mos管和固态继电器哪个更有优势？

控制步进电机，mos管和固态继电器MOS管更有优势，MOS管驱动价格低效率高。

八、mos管二极管怎么用？

MOS管是在uG-uS<0是才会导通，电压从D流向S，在二极管直接和DS相连，正向直接导通，MOS管就没有开关作用了。

九、mos管沟道是用什么材料？

国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。

MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。因此出厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。

十、MOS管能当开关用吗？

当然可以，而且大部分是用于开关状态，MOS管用于放大的例子还真不多。

如果要工作在开关状态，就必须使得MOS管处于可变电阻区和夹断区， 不过MOS管的开关不是那么简单，在实际中，开启很容易，一般2-4V电压就行（不过要想导通得很好，深度饱和，最好加大电压到10V左右，这时候，MOS管的通态电阻比较小），关断很麻烦，远比开启要麻烦，有效关断的话，最好用负电压。